Új típusú III-V vegyület-félvezetők és félvezető nanostruktúrák optikai és elektronikai eszközökhöz

Új típusú III-V vegyület-félvezetők és félvezető nanostruktúrák optikai és elektronikai eszközökhöz

A kutatás célja új típusú, nagytisztaságú III-V vegyület-félvezetők kialakítása atomi rétegépítő és maratási technológiákkal. Az vegyület-félvezetők és nanotechnológiák révén kialakított eszközök és alkalmazási területeik között említhetők a különféle LED- és lézerstruktúrák, kvantumzsinór-lézerek, illetve detektorok. A kutatás részét képezik a különféle karakterizálási módszerek, mint a pásztázó elektronmikroszkópia (SEM), energiadiszperzív Röntgen-analízis (EDS), Auger-elektron spektroszkópia (AES), Röntgen-diffraktometria (XRD), fotolumineszcencia (PL), Hall-szondás karakterizálás, szekunder-ion tömegspektroszkópia (SIMS).

Tribológiai szimulációk – Súrlódási modellek kialakítása

A belsőégésű motorok szempontjából az egyik legkritikusabb és egyben napjaink legaktuálisabb problémája az üzemanyag-fogyasztás, mely egyben a károsanyag-kibocsátás csökkentésének egyik lehetséges elsődleges területe. Az üzemanyag-fogyasztás csökkentésének elsődleges lehetősége már közvetlenül a motornál keresendő, ahol súrlódási veszteségek csökkenthetők, amiért 40-50%-ban a dugattyúcsoport alkatrészei felelősek – mint a dugattyú, dugattyúgyűrűk és hengerfal. Ezeknél az alkatrészeknél fellépő súrlódási veszteségek csökkentése alapvető fontosságú, mivel közvetlenül hatnak a kopásra – illetve ezeken keresztül a fogyasztásra és ebből következően a károsanyag-kibocsátásra. A súrlódási és kopási rendszer összefüggésein alapuló szimulációs modellek képezik a kutatás célját.

RFID és biometrikus azonosítási technológiák

A kutatás célja a rádiófrekvenciás azonosító rendszerek új alkalmazásainak keresése, valamint biometrikus azonosítási módszereknek és integrálhatóságuknak továbbfejlesztése ipari alkalmazásokhoz.

Kapcsolattartó: Dr. Zsebők Ottó PhD egyetemi docens
Elérhetőség: E-mail: zsebok @ sze.hu, Telefon: +36 96 613-548

Referenciák:

O. Zsebök: Multifunctional system for sports and leisure complex in Hungary
LEGIC News Magazine 1/11 (2011) 12-13.

O. Zsebök: Multifunktionales System für Sport- und Freizeitkomplex in Ungarn
LEGIC News Magazine 1/11 (2011) 12-13.
 
O. Zsebök, J.V. Thordson, L. Ilver and T.G. Andersson:
Nanocrystals at MBE-Grown GaN/GaAs(001) Interfaces
Applied Surface Science 166 (2000) 317-321.
 
O. Zsebök, J.V. Thordson, R. Gunnarsson, L. Ilver and T.G. Andersson:
The effect of the first GaN monolayer on the nitridation damage of MBE-grown GaN on GaAs(001)
Journal of Applied Physics 89 (2001) 3662-3666.
 
O. Zsebök, J.V. Thordson, and T.G. Andersson:
The formation of nitrogen damage during the growth of GaN on GaAs(001)
Japanese Journal of Applied Physics Part 1, 40 (2001) 472-475.
 
O. Zsebök, J.V. Thordson, B. Nilsson and T.G. Andersson:
Morphology of InGaAs/GaAs Quantum Wires Prepared by Highly Controlled Deep Etching Techniques
Nanotechnology 12 (2001) 32-37.

Fizika és Kémia Tanszék Eseménynaptára

Munkaszüneti nap 2017. október 23.
Elektronikus ZH nap 2017. október 25.
Levelezős konzultációs hétvége 2017. október 27. - 2017. október 28.

Tantárgyi információk

Válassza ki a beiratkozás félévét!
Válassza ki a nyelvet!
Válassza ki a szakot!
Válassza ki a szakirányt!
Válassza ki a tantervet!